Наши друзья

Наша кнопка

Партнеры

Устройство полимерного пола Клининговая компания. Фотографии выполненных работ. feas.ru

Мебель италии Система поиска. Группа компаний. casamobili.ru

Спортивная одежда продажа Продажа тканей, пошив спортивной одежды. Онлайн-продажа спортивной формы. globus-extreme.ru

киа церато

Производители процессоров вступают в железный век

Индустрия микропроцессоров меняет конструкцию транзисторов, чтобы начать новый виток гонки за быстродействием. Почти 40 лет производители микросхем изготавливали затворы транзисторных ключей из кремния. Теперь же Intel, IBM и AMD планируют использовать для этой цели новые материалы, которые значительно уменьшат ток утечки и позволят повысить производительность чипов. Кремниевую долину переименовывать не придется, так как основным материалом для микросхем остается кремний. Однако затворы транзисторов становятся металлическими, а для тонкой изолирующей прослойки между затвором и каналом, так называемого "подзатворного оксида", тоже будут применяться новые материалы.

Intel планирует внести эти изменения в семейство процессоров Penryn, которое планируется выпустить в этом году, одновременно с переходом на 45-нм технологию. В четверг компания продемонстрировала группе журналистов и аналитиков серверы, построенные на опытных образцах этих чипов.

IBM и AMD при переходе на 45-нм технологический процесс в 2008 году тоже планируют использовать металлические затворы и подзатворные оксиды с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k). Компании заключили соглашение о сотрудничестве в сфере разработки новых методов производства полупроводников.

High-k диэлектрики позволяют сделать подзатворный слой толще, уменьшив тем самым ток утечки транзистора. Однако они взаимодействуют с затвором из поликремния, что препятствует достижению высокого быстродействия. Для решения этой проблемы затвор выполняется из металла. Главная сложность заключается в выборе правильного сочетания металлов и диэлектрика. Intel изготавливает диэлектрик на основе гафния. Она уже опробовала металлические ключи с high-k диэлектриком в микросхемах памяти SRAM (static RAM), которые Intel производят по 45-нм технологии.

Пленка из диэлектрика создается методом атомного напыления -материал наносится последовательными слоями толщиной всего в один атом. AMD и IBM планируют использовать для изготовления своих процессоров так называемый метод иммерсионной литографии, при котором дорожки наносятся на пластину, когда она погружена в дистиллированную воду.

Intel пока придерживается существующей технологии, но, возможно, воспользуется иммерсионной литографией в будущем для изготовления 32-нм чипов. Об этом сообщает AlgoNet

Обозрение "Terra & Comp".